在真空環(huán)境產(chǎn)生等離子體的原因很多,主要有以下兩個(gè)原因:
      引入真空室的氣體在壓力環(huán)境下不會(huì)電離,在充入氣體電離產(chǎn)生等離子體之前bi須達(dá)到真空環(huán)境。另外，真空環(huán)境允許我們控制真空室中氣體種類，這對(duì)等離子處理體過(guò)程的可重復(fù)性是至關(guān)重要的。
     要進(jìn)行等離子處理產(chǎn)品,首先我們要產(chǎn)生等離子體。首先，單一氣體或者混合氣體被引入密封的低壓真空等離子體室。隨后這些氣體被兩個(gè)電極板之間產(chǎn)生的射頻(RF) 激活，這些氣體中被激活的離子加速，開始震動(dòng)。這種振動(dòng)“用力擦洗"需要清洗材料表面的污染物。
     在處理過(guò)程中,等離子體中被激活的分子和原子會(huì)發(fā)出紫外光，從而產(chǎn)生等離子體輝光。溫度控制系統(tǒng)常用于控制刻蝕速率。60 - 9d攝氏度溫度之間刻蝕，是室溫刻蝕速度的四倍。對(duì)溫度敏感的部件或組件,等離子體蝕刻溫度可以控制在15攝氏度。我們所有的溫度控制系統(tǒng)已經(jīng)預(yù)編程并集成到等離子體系統(tǒng)的軟件中間。設(shè)置保存每個(gè)等離子處理的程序能輕松復(fù)制處理過(guò)程。
     可以通過(guò)向等離子體室中引入不同氣體，改變處理過(guò)程。常用的等離子處理.氣體包括02、N2,Ar,H2 和CF4。大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室，基本上都使用這五種氣體單獨(dú)或者混合使用進(jìn)行等離子體處理。

等離子體處理過(guò)程通常需要大約兩到十分鐘。當(dāng)?shù)入x子體處理過(guò)程完成時(shí),真空泵去除等離子室中的污染物，室里面的材料是清潔,消過(guò)毒的,可以進(jìn)行粘接或下一步程序。

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